十九世纪初，人类就开始了对半导体材料及制作的研究，至今已经发展到了第三代半导体，并开始普及和广泛应用。

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。可以实现更好的电子浓度和运动控制 ，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。

高光效、高功率、高电压、高频率、高工作温度~抗辐射

三代半导体重要参数对比表

结合上诉图文综合可见，第三代半导体是支撑智能、绿色、可持续发展电气化道路之关键。